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DMP3010LK3
2.5
2.0
1.5
I D = -1m      A
30
25
20
1.0
I D = -250μA
15
10
T A = 25°C
0.5
5
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
C iss
100,000
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
10,000
T A = 150°C
1,000
C oss
C rss
1,000
100
T A = 125°C
T A = 85°C
10
f = 1MHz
100
0
4 8 12 16
20
1
0
T A = 25°C
5 10 15 20 25
30
10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Leakage Current vs. Drain-Source Voltage
100
90
Single Pulse
R θ JA = 72°C/W
8
V DS = -15V
I D = -10A
80
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
T J - T A = P * R θ JA
70
6
4
2
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40 60 80 100 120 140
0
0.001
0.01 0.1 1 10 100 1,000
Q g , T OTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Source Voltage vs. Total Gate Charge
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
Fig. 12 Single Pulse Maximum Power Dissipation
DMP3010LK3
Document number: DS35716 Rev. 4 - 2
4 of 7
www.diodes.com
February 2012
? Diodes Incorporated
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